Thông tin rò rỉ cho thấy chip Snapdragon 8 Elite Gen 6 sẽ chuyển sang tiến trình 2 nm của TSMC, đi kèm RAM LPDDR6 và bộ nhớ UFS 5.0.
Dù Snapdragon 8 Elite Gen 5 mới ra mắt được một tháng và chưa xuất hiện trên nhiều mẫu điện thoại cao cấp cho đến đầu năm sau, những tin đồn về thế hệ kế nhiệm đã bắt đầu lan truyền trên mạng xã hội Weibo. Theo leaker Digital Chat Station, những chi tiết đầu tiên về con chip cao cấp tiếp theo của Qualcomm đã được hé lộ.
Nâng cấp đáng chú ý nhất là việc Snapdragon 8 Elite Gen 6 sẽ đánh dấu bước chuyển của Qualcomm sang tiến trình 2 nm. Cụ thể, nguồn tin cho biết công ty sẽ sử dụng nút N2P của TSMC, một bước nhảy vọt so với tiến trình 3 nm trên thế hệ Gen 5. Điều này cũng đồng nghĩa Qualcomm có thể sẽ bỏ qua nút N2 của TSMC.
Dựa trên ước tính của TSMC, tiến trình N2P hứa hẹn cải thiện hiệu suất 18% so với N3E (dùng trên Gen 5) mà không làm tăng mức tiêu thụ điện. Ngoài ra, tiến trình này còn có thể giúp giảm mức tiêu thụ điện năng khoảng 36%, một con số rất ấn tượng.
Bên cạnh đó, Snapdragon 8 Elite Gen 6 cũng được cho là sẽ hỗ trợ các tiêu chuẩn bộ nhớ mới nhất, bao gồm RAM LPDDR6 và bộ nhớ trong UFS 5.0. Sự kết hợp này được kỳ vọng sẽ mang lại một bước tiến lớn về tốc độ xử lý và khả năng đa nhiệm cho các thiết bị di động cao cấp trong tương lai.
Tuy nhiên, vẫn còn một số câu hỏi về thời gian ra mắt. Theo kế hoạch, TSMC sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt nút N2P vào nửa cuối năm 2026. Mốc thời gian này khiến nhiều người hoài nghi liệu Snapdragon 8 Elite Gen 6 có kịp ra mắt vào tháng 9 năm 2026 như lịch trình thường lệ của Qualcomm hay không.
